二手多晶硅长晶炉回收+南浔滤波柜回收维修/保养

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据统计，上硅单晶的产量中70%～80%是用直拉法生产的。再由齿轮齿条机构带动的。在单晶炉中，要求提拉单晶硅的提拉杆不仅能以某一期望线速度V向上(下)运动，而且当提拉负载增大引起线速度为零时，提拉杆能保持其后位置而不上下滑动。在实际单晶炉中，对提拉控制系统提出的主要技术指标是，提拉速度在0.2～10.0mm/h范围之内实现无级可调。99%以上的集成电路是硅集成电路，生产集成电路所需要的单晶硅，是在硅结晶生长始时，用提拉的法制成的。在单晶硅生产过程中，对晶体的提拉速度有十分严格的要求，从某种程度上讲提拉速度的控制好坏将直接影响到晶体的质量。对单晶硅生产过程中的提拉速度控制系统进行研究有实际意义。

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选用含碳量小于0.03%的不锈钢和焊丝；焊接前不预热，焊接时采用小电流、短弧、快速焊及窄焊道，不要在焊件上随便引弧损伤焊件表面，焊接后迅速冷却，每焊完一层需清洗焊缝，检查焊缝无缺陷厚，并等前层焊缝冷却到60度以下时候再焊下一层，焊缝接触介质的一面应后施焊：条件允许的地方尽量采用熔化极氩弧焊，熔化极氩弧焊影响区更小，焊件的变形更小，耐腐蚀性更好。与氩 气输入管12相连通的环形气体分布器11，其特征在于经氩气输入管12 输入的氩气气压为0. 8 x 103Pa0. 9 x 103Pa，氩气流量为30L/min。还包括设于该炉的坩埚支持器14下方和该部的排气口 13之间 的碗形的气流导向装置20，其包括设于气流导向装置20底部的中轴 孔2-l，设于所述中轴孔2-1两侧的一对电极孔2-2。本实施例的直拉式单晶生长炉包括氩气输入管12为现有技术的切克劳斯基(直拉)法硅单晶的直拉式单晶生长 炉的剖面结构示意图2为图1中的氩气输入管与环形气体分布器的结构示意图3为实施例1中直拉式单晶生长炉的气流导向装置的结构示意图4为图3的A-A剖面视图5为为图3的B-B剖面视图6为实施例1中直拉式单晶生长炉的剖面结构示意图7为实施例1中直拉式单晶生长炉的另一剖面结构示意图。具体实施方式以及设于所述中轴孔 2-1两侧并与该炉的排气口 13相对的通气孔2-3，该炉的石墨中轴21穿过所述气流导向装置20的中轴孔2-1，该炉的一对电极柱15分别穿过所述电 极孔2-2，该炉的排气口 13与气流导向装置20的各通气孔2-3相连通，气 流导向装置20的上端部2-4设于该炉的保温筒17与发热体16之间。