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关电源比线性电源会产生更多的干扰，对共模干扰敏感的用电设备，应 00，FCC等EMC限制，关电源均采取EMC电磁兼容措施，因此关电源一般应带有EMC电磁兼容滤波器。如利德华福技术的HA系列关电源，将其FG端子接大地或接用户机壳，方能满足上述电磁兼容的要求。

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其特征在于经氩气输入管输入的氩气气压为0.8xl03Pa0.9xl03Pa，氩气流量为30L/min。上述技术方案中。且可减少热能及氩气消耗的直拉式单晶生长炉。实现本发明目的的技术方案是一种直拉式单晶生长炉，其包括氩气输入管。本发明的目的是一种易于及时排出炉内的混合气体发明内容与氩气输入管相连通的环形气体分布器还包括设于直拉式单晶生长炉的坩埚支持器下方和该部的排气口之间的气流导向装置该炉的石墨中轴穿过所述气流导向装置的中轴孔所述气流导向装置的中轴孔与该炉的石墨中轴活动密封连接所述气流导向装置的上端部的外壁与该炉的保温筒密封连接所述气流导向装置由石墨制成经 9xl03Pa且利于在硅单晶生长过程中单晶分子排列结构的整齐性且气流导向装置的中轴孔及一对电极孔分别与该炉的石墨中轴及一对电极孔配合设置由于该炉的排气口与气流导向装置的各通气孔相连通既有效地防止了一氧化硅气体对加热器和坩埚支持器等石墨器件的腐蚀另外还可对硅晶体的生长过程起到稳定作用。主机部分：机架单晶硅生长炉原理简介单晶硅生长炉的特点\单晶硅生长炉是通过直拉法生产单晶硅的设备。主要由主机高像素CCD测径ADC系统和具有知识产权的“全自动Cz法晶体生长SCADA系统”，可实现从抽真空—检漏—炉压控制—熔料—稳定—溶接—引晶—放肩—转肩—等径—收尾—停炉全过程自动控制。后，待大部分硅溶液都已经完成结晶时，再将晶体逐渐缩小而形成一个尾形锥体，称为收尾工艺。这样一个单晶拉制过程基本完成，进行一定的保温冷却后可以取出。放大晶体直径到工艺要求的大小，一般为75～300mm，这个过程称为放肩，接着，突然提高拉速进行转肩操作，使肩部近似直角，然后，进入等径工艺，通过控制热场温度和晶体提升速度。